1、CCD控制，測量方法：測量精度達到0.1mm，單晶頭尾直徑偏差在1mm以內，完全兼容拉制<100>、<111>、<110>等規格的單晶
2、真空計采用分量程薄膜真空計（0~1Torr、0~100Torr、0~1000Torr），使壓力測量精度更高，測量真空值不受氣體介質影響。
3、采用質量流量計（MFC）控制氬氣流量，在外界壓力波動的情況下可恒定輸出氬氣流量，確保拉晶生長環境的恒定；
4、國內首創三閥真空控制系統，采用滑閥真空泵抽真空、檢漏，水環真空泵拉晶，使在拉晶過程中產生的有毒氣體、灰塵等經過水過濾、水處理后排放，不直接排放于大氣中，大大提高了環保。
5、以太網控制，可經過Internet網遠程登錄設備修改參數及數據監控和下載儲存。
6、高晶轉、堝轉，可提高單晶體的均勻性，減少氧、碳含量及微缺陷。
7、由于氬氣系統中電磁閥若長時間通電易發燙造成閥門關不死、電磁閥燒毀，從而影響拉晶生長，我們采用氣動閥替代電磁閥，避免了閥體發燙而導致閥門關不死等現象。
8、我們用單作用、自復位氣動高真空抽氣球閥代替普通的手動球閥，使在單晶生長過程中若發生停電、停氣現場，自動關閉抽氣閥，避免由于氣體倒吸而造成整爐料報廢的風險。
9、采用高精度電子調節閥來控制晶體生長爐的爐壓，可以實現高爐壓控制，保證了晶體生長環境的恒定及一致性，大大提高了拉晶成晶率。
10、國內首創具有自己知識產權的冷卻水水壓安全閥，在冷卻水管內若壓力過高自動泄壓，保證了人身與設備的安全。
11、激光+CCD液面與導流筒測距技術，控制精度可達0.1mm，可以根據工藝要求在不同的等徑長度液面位置做相應的調整，可自動修改熱屏位置來改變液面的位置。
12、可根據石墨、石英的形狀及拉制的單晶尺寸自動計算堝跟比，不需要另外設定堝跟比表格
13、直徑溫度控制系統，拉速優先控制，拉速按工藝設定給定，在等徑過程中不隨直徑的變化而改變，從而滿足拉制完美單晶體的要求，特別針對大直徑單晶尤為重要
14、自動溫度補償生長控制系統，采用獨特的控制算法，對整根單晶棒生長溫度分布作出規劃，尤其針對拉制重摻單晶，可以保證整根單晶棒的拉制，不容易由于溫度而造成的斷苞
15、開門式副室：
（1）便于清洗，特別是重摻單晶，在拉制過程中會產生大量的揮發物，若采用炮筒式副室，揮發物在副室里就難以清掃干凈；
（2）降低爐子高度，開門式副室可以去掉隔離閥腔，這樣爐體整體高度就有所降低，可以縮小共振區，從而可保證高晶轉的穩定性；
（3）便于爐內二次加料，只需打開副室門就可以實現爐內的二次加料，而不需要升降副爐室來完成，減少由于操作失誤造成的損失。
16、磁場，針對單晶體品質不同的要求，我們設計了勾型磁場和橫向磁場：
（1）勾型磁場主要針對降低氧碳含量
（2）橫向磁場主要是針對提高電阻率均勻性而開發的，6寸的單晶硅片電阻率不均勻性可在10以下